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聚酰亞胺薄膜耐電暈的基本理論

點擊次數:736    發布日期:2016-08-01   本文鏈接:http://www.miribilla.net/datum/620.html

      在電場作用下,絕緣材料聚酰亞胺薄膜的部分區域發生放電短路的現象稱為局部放電。根據局部放電發生部位的不同,可分為絕緣材料內部的局部放電、表面的局部放電、發生在導體邊緣而周圍氣體被擊穿的電暈。局部放電是一種復雜的物理過程,有電、聲、光、熱等效應,伴隨產生各種分解產物。聚酰亞胺薄膜絕緣材料在放電作用下的絕緣破壞除與材料本身結構有關,還受如下因素影響。

1、頻率的影響。放電次數隨頻率成比例增加,一般絕緣材料的電老化壽命與頻率成反比。

2、電場強度的影響。場強增加,放電次數增加,且加快了從局部放電到擊穿的進程,一般聚酰亞胺薄膜絕緣材料的耐電場強度與其壽命有反冪關系。

3、溫度的影響。一般溫度增加,聚酰亞胺薄膜絕緣材料的耐放電性能降低,電老化壽命縮短。

4、相對濕度的影響。一般絕緣材料的電老化壽命隨材料所處環境的濕度的增大而縮短。

5、機械應力的影響。材料內部存在應力時,其耐局部放電性能下降。

      電暈放電,是交流電壓下局部放電的一種。包括在電極附近沿絕緣體表面所發生的表面電暈和聚酰亞胺薄膜絕緣材料內部氣隙中電場集中處發生的間隙電暈兩種。它們不僅隨電極形狀、電壓和放電能量而異,而且受到材料的影響,也與放電時電子和離子撞擊、局部發熱和臭氧等因素有關。在制造絕緣體的過程中難免不了會引入氣隙和雜質,這也是影響材料耐電暈性的因素。在絕緣體內部氣隙中產生的局部擊穿稱為絕緣內部的游離,或稱為介質中的電暈。它對絕緣材料的危害性突出表現在絕緣壽命的迅速下降。目前國際上對于納米粒子填充聚合物提高耐電暈強度的原因尚無統一的認識,沒有具體的研究納米材料的耐電暈機理。


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